GB/T37051-2018太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法

本标准规定了太阳能级多晶硅锭、硅片的晶体缺陷密度测定方法，包含方法概要、试剂和材料、仪器和设备、试样制备、测试步骤、数据处理、精密度、干扰因素和报告。本标准适用于太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度的测定。

标准号：GB/T 37051-2018

标准名称：太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法

英文名称：Test method for determination of crystal defect density in PV silicon ingot and wafer

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2018-12-28

实施日期：2019-04-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29045半导体材料

起草单位：英利集团有限公司、中国电子技术标准化研究院、江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、泰州中来光电科技有限公司、晋能清洁能源科技有限公司、镇江仁德新能源科技有限公司、天津英利新能源有限公司

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)